高純銅是指純度在5N（Cu≥99.999%）以上的金屬銅（N即代表銅的純度，N前面的數(shù)字越大銅純度越高），高純銅作為一種新興材料，除用于制備高純分析標準試料、電子工業(yè)各種連接線、電子封裝用鍵合線、高品質(zhì)音頻線、集成電路、液晶顯示器、濺射靶材及離子鍍膜等高技術(shù)領(lǐng)域外，還是原子能、火箭、導(dǎo)彈、航空、宇宙航行以及冶金工業(yè)中不可缺少的寶貴材料。

　　高純銅產(chǎn)品的發(fā)展目前處于起步階段，國內(nèi)生產(chǎn)規(guī)模和數(shù)量較小，不能滿足市場需求，主要依賴于進口。隨著高新技術(shù)的發(fā)展及作為戰(zhàn)略物資的需要，對于金屬純度的要求越來越高，高純銅行業(yè)前景非常廣闊。

　　高純銅具有較好的導(dǎo)電性、延展性、抗腐蝕能力和表面性能，軟化溫度也較低，在極低溫度下具有高導(dǎo)熱性，優(yōu)良的加工性能。制備高純銅的方法主要有區(qū)域精煉法、真空電子束熔煉法、陰離子交換法、電解精煉法等。

　　1、區(qū)域精煉法

　　區(qū)域精煉是利用雜質(zhì)在金屬的凝固態(tài)和熔融態(tài)中溶解度的不同，使雜質(zhì)析出或改變其分布的物理方法。銅的區(qū)域精煉于1952年提出，已成為當今精煉超高純銅的基本方法，常用的為漂浮區(qū)熔精煉法和脫硫區(qū)熔精煉法。

　　1.1 漂浮區(qū)域煉法

　　銅熔體密度高，表面張力小，保持漂浮區(qū)熔部位困難，故采用圓錐形感應(yīng)線圈，制成靠電磁力使熔融銅穩(wěn)定保持漂浮區(qū)熔部位的精煉裝置。H.Bruning[3]以硝酸銅溶液電解精煉過的RRR=10000的高純銅為原料，將它用漂浮區(qū)熔精煉9次后真空退火，純度提高到RRR=22000。

　　1.2 脫硫區(qū)域精煉法

　　單純的區(qū)域精煉法脫硫，含硫量仍有0.2ppm，添加脫硫元素，即脫硫區(qū)域精煉法。按0.1wt%比例在熔融RREC銅材中添加鑭，制成含一定量脫硫元素銅錠。將上述銅錠放入高純石墨舟皿中重復(fù)精煉三次，切除銅錠末端，硫含量降到0.1ppm以下。

　　2、真空電子束熔煉法

　　電子束熔煉通過調(diào)節(jié)功率和熔融速率使熔池保持在較高的溫度，在高溫高真空環(huán)境下熔體充分發(fā)生脫氣反應(yīng)，利于雜質(zhì)和夾雜物的去除以及成分的精確控制，獲得具有一定性能要求的高純材料[5]。Archibald W. Fletcherd等人發(fā)現(xiàn)Ag、Se、Te、S、Bi、Pb元素通過電子束精煉可以很容易去除[6]。陳潔等采用自行設(shè)計的真空感應(yīng)熔煉直接定向凝固設(shè)備結(jié)合電子束熔煉設(shè)備進行試驗，結(jié)果表明：真空熔煉可有效去除銅中飽和蒸氣壓高的雜質(zhì)，通過定向凝固，雜質(zhì)元素含量沿鑄錠軸向逐漸升高，經(jīng)組合工藝提純后，銅的純度提高至99.9996%[7]。

　　3、陰離子交換法

　　Tamas Kekesi等選用聚苯代二乙烯基季銨型陰離子交換樹脂制取超高純銅，工業(yè)高純氯化亞銅鹽酸溶液為原料，純化過程由二次陰離子交換分離、蒸發(fā)、氫還原和Ar-H2等離子熔融等重要工序構(gòu)成，得到純度達6N以上的高純銅[8]。

　　4、電解精煉法

　　此法是通過對電解液進行高度純化，用較高純度的銅進行電解，對除氧外的幾乎所有雜質(zhì)如鋅、鐵、錫、鉛、鈷、鎳、硒、碲、硅、硫、金、銀、砷、銻、鉍等均有效，產(chǎn)量大，回收率高，且可與其他除雜方法聯(lián)合使用。根據(jù)電解液的種類分為：硫酸銅溶液電解精煉，硝酸銅溶液電解精煉，硫酸溶液+硝酸溶液混合電解精煉。